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正接时候，R1VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ实际损耗很小，3A的电流，功耗为（3×3)×0.02=0.18W根本不用外加散热片。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。VZ1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。P沟道MOS管防反接保护电路电路如示因为NMOS管的导通电阻比PMOS的小且价格相对更便宜，选NMOS。

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山西朔州淘汰的旧设备高价裸电缆线此种单相步进电机原理如上图中所示，气隙磁导发生变化，与只是磁导变化的结构不同，旋转方向依然是由不对称的定子磁极决定的。此定子为一个中间直角三角形孔的磁极板，其斜线部分的磁导。转子磁极正对斜面时磁导，其为转子转动方向，其运行原理与上面的原理图是相同。转子为圆柱形永磁磁极，极数为4极，将Nr=2，P=1带入式θs=180°/PNr，故步距角为θs=90°。定子为一个圆形线圈，用正/负电流驱动。：一台功率为1.5KW的单相电机，其计算它的工作电流；P=l× 5=9.1A它的电容值为 (μF)启动电容器可以按 27.5uF。根据公式计算750电机的额定电流为 运行电容C=1100×I ；本人根据单相电机实物图中的一台0.75kw单相电机的运转电容器，实际电容量为16uf/450vAC，启动电容器的电容量是60uf/450vAC。所谓寄存器寻址，就是我们使用plc内部寄存器的方法。如果把PLC的内部寄存器比喻成一幢大楼，那么寻址方法就是对房间门牌的编号。只有掌握了寄存器的寻址方法，我们才能正确使用内部寄存器。内部寄存器的寻址，是欧美系PLC所独有的，它不同于日系的PLC。因为日系的PLC一般是直接使用。比如三菱的PLC，它用D0，D1来表示内部的数据寄存器。M0,M1表示的是位寄存器，D0和M0之间没有任何关系而欧系PLC与日系的完全不同，是使用和计算机一样的寻址方法。当然，这也不是的，我只是根据图中所印的符号来讲的，因为图中4个符号分别表示电压、电阻、二极管和电容，并不是所有万用表都这样印字。希望大家能够举一反三。测量的时候，只要把表笔扎在待测的两点之间就好了。如果测二极管和电容，还要注意极性，黑表笔一般接负极。测量电流值如果要测量电流值的话，就要把红色表笔接在左侧两个接线孔上。如上面的图中，如果测量电流的大小范围是mA级别的，就接在第二个接线孔。图中400mAFUSED的意思是，该档位丝承受的电流为400mA；如果电流更大的话，就要接在个接线孔。