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明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的，51具体结构如下图。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲，上管-下管关时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是漏状态（低阻态），因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。

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RC滤波电感器的成本高、体积大，所以在电流不太大的电子电路中常用电阻器取代电感器而组成RC滤波电路。同样，它也有L型；π型。稳压电路交流电网电压的波动和负载电流的变化都会使整流电源的输出电压和电流随之变动，因此要求较高的电子电路必须使用稳压电源。稳压管并联稳压电路用一个稳压管和负载并联的电路是 简单的稳压电路。R是限流电阻。这个电路的输出电流很小，它的输出电压等于稳压管的稳定电压值VZ。)机械原因引起的振动表现为：电动机轴上有外伸重量，轴系统的固有频率降低时，如果电动机高速运转，全旋转频率与轴系统固有频率接近，则振动加剧。转子残余不平衡引起离心力与转速的二次方成比例增加，所以用变频器驱动电动机高速运转时，振动加大。变频器是电子装置，所以温度对其寿命影响较大。通用变频器的环境温度一般要求-10~+50℃，如果能降低变频器运行温度，就延长了变频器的使用寿命，性能也稳定。变频器发热是由内部损耗产生的，以主电路为主，约占总损耗的98%，控制电路占2%。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极。单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是K或A极（对单向可控硅）也可能是TT1或TG极（对双向可控硅）。可以全部允许或有选择的允许。SF1“DIS_AIRT”延迟比当前优先级更高的中断和异步错误，直到用SF2允许中断或当前OB执行完毕，SF2“EN_AIRT”用来允许立即被SF1暂时禁止的中断和异步错误，SF1和SF2配对使用。组织块的变量声明表：OB块是操作系统调用的，OB没有背景数据块，也不能为OB声明输入、输出参数和静态变量，所以，OB的变量声明表中只有临时变量，OB的临时变量可以是基本数据类型、复杂数据类型或数据类型ANY。